В Москве на выставке «Фотоника. Мир лазеров и оптики — 2021» были названы победители ежегодного конкурса Лазерной Ассоциации на лучшую отечественную разработку в области фотоники.

В номинации «Источники лазерного излучения и их компоненты, устройства управления лазерным лучом и его транспортировки» (конкурс имени М. Ф. Стельмаха) диплома II степени удостоена разработка НПП «Инжект» — «Полупроводниковый импульсный лазер с высокой энергетической яркостью». Результаты конкурса опубликованы на сайте Лазерной ассоциации.

Полупроводниковый импульсный лазер состоит из импульсного лазерного полупроводникового излучателя, смонтированного в корпусе-рукоятке, и источника питания. Средняя мощность импульса лазерного излучения прибора составляет 7,5 кВт, плотность оптической выходной мощности лазера >9,5 кВт/см². Длина волны максимума спектра лазерного излучения составляет 940±5 нм.

Излучатель имеет усовершенствованную конструкцию наборной решётки лазерных диодов (ЛД), в которой отсутствуют теплоотводы (радиаторы) между диодными лазерными линейками, что значительно уменьшает величину шага от линейки к линейке. Эта конструкция обеспечивает изготовление наборной решетки ЛД с высокой плотностью сборки (в зарубежной литературе используется термин — High Density Stack).

Излучатель лазера изготавливается по модульному принципу, что позволяет проводить его модификацию и масштабирование выходной оптической мощности и длины волны излучения в диапазоне 770-980 нм по техническим требованиям заказчика.

Полупроводниковый импульсный лазер предназначен для широкого применения в различных отраслях промышленности, научных исследованиях и медицине.