Январь 1973

Создание лаборатории полупроводниковой квантовой электроники в ОКБ при Саратовском заводе приемно-усилительных ламп

Декабрь 1973

Начало полного цикла серийного производства первых импульсных лазерных диодов ближнего ИК диапазона спектра – 800-900 нм на гетероструктурах, выращенных на предприятии методом жидкофазной эпитаксии

1974

Начало серийного производства нескольких новых типов лазерных диодов

1974 – 1980

Выполнение серии НИОКР, направленных на усовершенствование технологии производства лазерных диодов (ЛД), и достижение в результате 5-10-кратного увеличения срока службы и 1,5-кратного снижения себестоимости выпускаемых изделий

1982

Освоение в серийном производстве ЛД непрерывного режима работы на основе GaAs/GaAlAs гетероструктур

1984

Разработка технологии эпитаксиального выращивания импульсных ЛД на основе AlGaSbAs/GaSb гетероструктур

1985

Исследование причин деградации ЛД и разработка высоконадежных ЛД с увеличенным ресурсом работы в непрерывном режиме до 50 000 час

1984-1992

Разработка и производство серии ЛД, торцевых светоизлучающих (СИД) и суперлюминесцентных (СЛД) излучающих модулей с выводом излучения через многомодовый и одномодовый световод для волоконно-оптических линий связи, волоконно-оптических датчиков, гироскопов и др.

1991

Начало экспорта продукции в Швейцарию, Германию, Австралию, Болгарию

1996-2002

Разработка и производство мощных ЛД линеек и 2-х мерных наборных ЛД решеток квазинепрерывного режима работы для накачки твердотельных лазеров с плотностью оптической мощности > 1000Вт/см2.

1998

Реорганизация филиала «Инжект» НИИ «Волга» в ГУНПП «Инжект», дочернее предприятие НИИ «Волга».

1999


▫ Разработка и поставки суперлюминесцентых излучающих модулей для нано-метрического интерферометрического контрольно-измерительного прибора “Ультрафокус-2000” юстировки объектива установки фотолитографии фирмы Ultratech Stepper, Inc.,США, удостоенного приза конкурса “100 наград за научные исследования и конструкторские разработки” журнала R&D Magazine, США в 1999;
▫ Разработка совместно с фирмой LIMO (Германия) и начало производства лазерного диода непрерывного режима работы с выводом излучения через многомодовый световод с мощностью оптического излучения 1Вт — ЛМ3-850-1000 с диаметром сердцевины 50 мкм, числовой апертурой 0,20 для применения в печатающих устройствах, оптических датчиках, медицине

2001

Впервые в России разработан и изготовлен лазерный излучатель в корпусе Photodigm 9MM – импульсный лазерный диод ИЛД-8; Разработка и производство компактных лазеров с диодной накачкой твердотельных микрочипов, в том числе с внутрирезонаторным удвоением частоты, излучающих в зеленом диапазоне спектра (λ=531 нм)

2002


▫ Разработка и начало производства:
- наборных ЛД излучателей с кондуктивным охлаждением импульсного режима работы с мощностью излучения 1 кВт с длительностью импульса 1 мкс;
- высокочастотного фотоприемного модуля (~7-10 ГГц) для волоконно-оптических линий связи;
- источников питания ЛД и суперлюминесцентных диодов импульсного и непрерывного режимов работы;
▫ Разработка и начало серийного производства наборных ЛД решеток квазинепрерывного и импульсного режима работы с мощностью излучения 1250 Вт со встроенным ТЭ охладителем, с коллимирующей оптикой с длительностью импульса до 500 мкс для осветителей и дальномеров.

2003

ГУНПП «Инжект» преобразовано в самостоятельное предприятие ОАО «НПП «Инжект» в управлении Федерального агентства по промышленности России (Роспром).

2004

Разработки и начало производства новых видов ЛД излучателей ближнего ИК диапазона спектра для подсветки приборов ночного видения, систем машинного видения, оптоэлектронных датчиков и охранных систем, оптического измерительного оборудования и научных исследований

2005


▫ Разработки и производство суперлюминесцентных диодов и лазеров с красным спектром излучения (630-670нм);
▫ Разработки и производство мощных импульсных ЛД с красным спектром излучения (630-670нм) и выпуск образцов красных лазерных диодов с длиной волны 631нм и разработка светоизлучающих диодов голубого свечения из гетероструктур на нитриде галлия с длиной волны излучения 457 нм с индивидуальной адресацией

2008


▫ Начало разработки и изготовления источников тока для полупроводниковых лазеров;
▫ Разработка и изготовление модулей непрерывного режима генерации со свободным выходом излучения мощностью от 100 Вт;
▫ Разработка и изготовление новой конструкции компактного бескорпусного излучателя импульсного режима работы – Л-1. Основная сфера применения прибора – медицинское оборудование для лазерной фототерапии.

2010

Разработана серия решеток лазерных диодов, коллимированных по быстрой оси плосковыпуклой цилиндрической микрооптикой, с целью уменьшения расходимости лазерного излучения, перпендикулярного плоскости p-n перехода.

2011


▫ Разработана серия решеток лазерных диодов (СЛМ-П) «плотной упаковки» с целью увеличения значения плотности мощности диодной накачки до 7,5 кВт/см²;
▫ Впервые в России разработан источник излучения для управления мощными фототиристорами таблеточного исполнения для силовых высоковольтных цепей.

2012

Разработана серия решеток лазерных диодов (32ДЛ) с активной системой поддержания рабочей температуры теплоотвода на основе элемента Пельтье.

2014


▫ Разработка и изготовление модулей непрерывного режима генерации с волоконным выходом мощностью от 20 Вт;
▫ Начало разработки и изготовления источников тока с импульсным преобразованием и высоким КДП для полупроводниковых лазеров.

2015


▫ Создание и запуск оптического отдела. Начало производства микрооптики, которая является одним из самых важных компонентов при разработке и производстве диодных лазерных систем;
▫ Успешно выполнена СЧ ОКР «Разработка и изготовление диодных импульсных матриц накачки» для накачки квантронов.

2017


▫ Разработан и изготовлен лазерный диодный модуль непрерывного режима генерации широкого применения в качестве источника лазерного излучения мощностью 75 Вт с волоконным выходом 400 мкм;
▫ Разработан и изготовлен лазерный диодный модуль непрерывного режима генерации широкого применения в качестве источника лазерного излучения мощностью 110 Вт с волоконным выходом 800 мкм.

2018

Разработан и изготовлен лазерный модуль непрерывного режима генерации мощностью 50 Вт с волоконным выходом 105 мкм для накачки волоконных лазеров.

2019


▫ Разработан и изготовлен лазерный модуль мощность непрерывного режима генерации 150 Вт с волоконным выходом 800 мкм, который в дальнейшем был использован в качестве источника излучения в диодном лазере для поверхностного термоупрочнения и порошковой лазерной наплавки;
▫ Успешно выполнена СЧ НИОКР по теме: «Разработка источника диодной накачки для лазерного литотриптора микросекундной длительности с диодной накачкой»;
▫ Впервые в России разработан и изготовлен малогабаритный импульсный источник излучения с максимальной мощностью 4000 Вт для изучения процессов фотоэлектронной эмиссии;
▫ Получен экспериментальный образец диодного лазера мощностью 6 кВт.

2020


▫ Разработан и изготовлен «Лазер технологический PLD-6» мощностью 6 кВт;
▫ Начато оказание услуг по поверхностному лазерному термоупрочнению;
▫ Начало разработки и изготовления источников тока с цифровым управлением для полупроводниковых лазеров.

2021


▫ Разработан и изготовлен лазерный диодный модуль непрерывного режима генерации мощностью 70 Вт с волоконным выходом 105 мкм для накачки волоконных лазеров;
▫ Разработан и изготовлен лазерный диодный модуль непрерывного режима генерации мощностью 100 Вт с волоконным выходом 135 мкм для накачки волоконных лазеров;
▫ По итогам конкурса Лазерной ассоциации на лучшую отечественную разработку в области фотоники работа «Полупроводниковый импульсный лазер с высокой энергетической яркостью» удостоена звания «Лауреат конкурса ЛАС 2021 года», присужден диплом II степени;
▫ Начато оказание услуг по порошковой лазерной наплавке.

2022


▫ Разработан одномодовый лазерный диод непрерывного режима генерации;
▫ Разработан и изготовлен лазерный диодный модуль непрерывного режима генерации широкого применения в качестве источника лазерного излучения мощностью 400 Вт с волоконным выходом 800 мкм;
▫ Разработан первый в мире компактный бескорпусной излучатель с энергией импульса 1 мДж, предназначенный для набора в решётки со сплошным телом свечения для увеличения энергии импульса. Область применения – дальнометрия, в том числе оптическая связь с объектами в космосе;
▫ Разработан и изготовлен первый в России герметичный излучатель импульсного режима работы, сколлимированный цилиндрической плоско-выпуклой микролинзой для уменьшения угла расходимости по оси, перпендикулярной плоскости p-n-перехода до 0.2 градусов;
▫ Разработка НПП «Инжект» «Лазер технологический PLD-6» удостоен звания лауреата конкурса «100 лучших товаров России» и почётного знака качества в номинации «Продукция производственно-технического назначения».