Январь 1973

Создание лаборатории полупроводниковой квантовой электроники в ОКБ при Саратовском заводе приемно-усилительных ламп

Декабрь 1973

Начало полного цикла серийного производства первых импульсных лазерных диодов ближнего ИК диапазона спектра – 800-900нм на гетероструктурах, выращенных на предприятии методом жидкофазной эпитаксии

1974

Начало серийного производства нескольких новых типов лазерных диодов

1974 – 1980

Выполнение серии НИОКР, направленных на усовершенствование технологии производства лазерных диодов (ЛД), и достижение в результате 5-10-кратного увеличения срока службы и 1,5-кратного снижения себестоимости выпускаемых изделий

1982

Освоение в серийном производстве ЛД непрерывного режима работы на основе GaAs/GaAlAs гетероструктур

1984

Разработка технологии эпитаксиального выращивания импульсных ЛД на основе AlGaSbAs/GaSb гетероструктур

1985

Исследование причин деградации ЛД и разработка высоконадежных ЛД с увеличенным ресурсом работы в непрерывном режиме до 50 000 час

1984-1992

Разработка и производство серии ЛД, торцевых светоизлучающих (СИД) и суперлюминесцентных (СЛД) излучающих модулей с выводом излучения через многомодовый и одномодовый световод для волоконно-оптических линий связи, волоконно-оптических датчиков, гироскопов и др.

1991

Начало экспорта продукции в Швейцарию, Германию, Австралию, Болгарию

1996-2002

Разработка и производство мощных ЛД линеек и 2-х мерных наборных ЛД решеток квазинепрерывного режима работы для накачки твердотельных лазеров с плотностью оптической мощности > 1000Вт/см2.

1999

Разработка и поставки суперлюминесцентых излучающих модулей для нано-метрического интерферометрического контрольно-измерительного прибора “Ультрафокус-2000” юстировки объектива установки фотолитографии фирмы Ultratech Stepper, Inc.,США, удостоенного приза конкурса “100 наград за научные исследования и конструкторские разработки” журнала R&D Magazine, США в 1999

1999

Разработка совместно с фирмой LIMO (Германия) и начало производства лазерного диода непрерывного режима работы с выводом излучения через многомодовый световод с мощностью оптического излучения 1Вт — ЛМ3-850-1000 с диаметром сердцевины 50 мкм, числовой апертурой 0,20 для применения в печатающих устройствах, оптических датчиках, медицине

2001

Разработка и производство компактных лазеров с диодной накачкой твердотельных микрочипов, в том числе с внутрирезонаторным удвоением частоты, излучающих в зеленом диапазоне спектра (λ=531 нм)

2002

Разработка и начало производства: — наборных ЛД излучателей с кондуктивным охлаждением импульсного режима работы с мощностью излучения 1 кВт с длительностью импульса 1 мкс; — высокочастотного фотоприемного модуля (~7-10 ГГц) для волоконно-оптических линий связи; — источников питания ЛД и суперлюминесцентных диодов импульсного и непрерывного режимов работы

2002 - 2004

Разработка и начало серийного производства наборных ЛД решеток квазинепрерывного и импульсного режима работы с мощностью излучения 1250Вт со встроенным ТЭ охладителем,с коллимирующей оптикой с длительностью импульса до 500 мкс для осветителей и дальномеров

2004

Разработки и начало производства новых видов ЛД излучателей ближнего ИК диапазона спектра для подсветки приборов ночного видения, систем машинного видения, оптоэлектронных датчиков и охранных систем, оптического измерительного оборудования и научных исследований

2005

Разработки и производство суперлюминесцентных диодов и лазеров с красным спектром излучения (630-670нм).Разработки и производство мощных импульсных ЛД с красным спектром излучения (630-670нм) и выпуск образцов красных лазерных диодов с длиной волны 631нм и разработка светоизлучающих диодов голубого свечения из гетероструктур на нитриде галлия с длиной волны излучения 457 нм с индивидуальной адресацией