Research and Production Enterprise Inject Ltd is one of the leading enterprises in Russia that conducts research and development of critical microelectronic laser technologies and serially produces high-tech products of world technical level – semiconductor lasers, superluminescent diodes, photodiodes, super-bright light emitting diodes of red and blue luminescence and etc., as well as original optoelectronic devices based on them.
Inject has a full technological cycle for manufacturing laser semiconductor emitters, starting with the manufacture of semiconductor substrates from epitaxial growth of layers of semiconductor structures to planar, assembly, measuring and testing lines, using domestic materials in production. The products are exported to Great Britain, USA, Japan, Israel, Korea, Germany, China, Bulgaria and other countries.
Январь 1973
Создание лаборатории полупроводниковой квантовой электроники в ОКБ при Саратовском заводе приемно-усилительных ламп
Декабрь 1973
Начало полного цикла серийного производства первых импульсных лазерных диодов ближнего ИК диапазона спектра – 800-900нм на гетероструктурах, выращенных на предприятии методом жидкофазной эпитаксии
1974
Начало серийного производства нескольких новых типов лазерных диодов
1974 – 1980
Выполнение серии НИОКР, направленных на усовершенствование технологии производства лазерных диодов (ЛД), и достижение в результате 5-10-кратного увеличения срока службы и 1,5-кратного снижения себестоимости выпускаемых изделий
1982
Освоение в серийном производстве ЛД непрерывного режима работы на основе GaAs/GaAlAs гетероструктур
1984
Разработка технологии эпитаксиального выращивания импульсных ЛД на основе AlGaSbAs/GaSb гетероструктур
1985
Исследование причин деградации ЛД и разработка высоконадежных ЛД с увеличенным ресурсом работы в непрерывном режиме до 50 000 час
1984-1992
Разработка и производство серии ЛД, торцевых светоизлучающих (СИД) и суперлюминесцентных (СЛД) излучающих модулей с выводом излучения через многомодовый и одномодовый световод для волоконно-оптических линий связи, волоконно-оптических датчиков, гироскопов и др.
1991
Начало экспорта продукции в Швейцарию, Германию, Австралию, Болгарию
1996-2002
Разработка и производство мощных ЛД линеек и 2-х мерных наборных ЛД решеток квазинепрерывного режима работы для накачки твердотельных лазеров с плотностью оптической мощности > 1000Вт/см2.
1999
Разработка и поставки суперлюминесцентых излучающих модулей для нано-метрического интерферометрического контрольно-измерительного прибора “Ультрафокус-2000” юстировки объектива установки фотолитографии фирмы Ultratech Stepper, Inc.,США, удостоенного приза конкурса “100 наград за научные исследования и конструкторские разработки” журнала R&D Magazine, США в 1999
1999
Разработка совместно с фирмой LIMO (Германия) и начало производства лазерного диода непрерывного режима работы с выводом излучения через многомодовый световод с мощностью оптического излучения 1Вт — ЛМ3-850-1000 с диаметром сердцевины 50 мкм, числовой апертурой 0,20 для применения в печатающих устройствах, оптических датчиках, медицине
2001
Разработка и производство компактных лазеров с диодной накачкой твердотельных микрочипов, в том числе с внутрирезонаторным удвоением частоты, излучающих в зеленом диапазоне спектра (λ=531 нм)
2002
Разработка и начало производства: — наборных ЛД излучателей с кондуктивным охлаждением импульсного режима работы с мощностью излучения 1 кВт с длительностью импульса 1 мкс; — высокочастотного фотоприемного модуля (~7-10 ГГц) для волоконно-оптических линий связи; — источников питания ЛД и суперлюминесцентных диодов импульсного и непрерывного режимов работы
2002 - 2004
Разработка и начало серийного производства наборных ЛД решеток квазинепрерывного и импульсного режима работы с мощностью излучения 1250Вт со встроенным ТЭ охладителем,с коллимирующей оптикой с длительностью импульса до 500 мкс для осветителей и дальномеров
2004
Разработки и начало производства новых видов ЛД излучателей ближнего ИК диапазона спектра для подсветки приборов ночного видения, систем машинного видения, оптоэлектронных датчиков и охранных систем, оптического измерительного оборудования и научных исследований
2005
Разработки и производство суперлюминесцентных диодов и лазеров с красным спектром излучения (630-670нм).Разработки и производство мощных импульсных ЛД с красным спектром излучения (630-670нм) и выпуск образцов красных лазерных диодов с длиной волны 631нм и разработка светоизлучающих диодов голубого свечения из гетероструктур на нитриде галлия с длиной волны излучения 457 нм с индивидуальной адресацией