ООО «Научно-производственное предприятие «Инжект» является одним из ведущих предприятий России, которое проводит исследования и разработки критических микроэлектронных лазерных технологий и серийно выпускает высокотехнологичную продукцию мирового технического уровня — полупроводниковые лазеры, суперлюминесцентные диоды, фотодиоды, сверхъяркие светоизлучающие диоды красного и голубого свечения и др., а также оригинальные оптико-электронные приборы на их основе.
Предприятие «Инжект» обладает полным технологическим циклом изготовления лазерных полупроводниковых излучателей, начиная с изготовления полупроводниковых подложек от эпитаксиального выращивания слоев полупроводниковых структур до планарной, сборочной, измерительной и испытательной линий, используя в производстве отечественные материалы.
Продукция экспортируется в Великобританию, США, Японию, Израиль, Корею, ФРГ, КНР, Болгарию и др. страны.
Основные этапы исследований и конструкторских разработок ООО НПП «ИНЖЕКТ»
- Январь 1973
Создание лаборатории полупроводниковой квантовой электроники в ОКБ при Саратовском заводе приемно-усилительных ламп. - Декабрь 1973
Начало полного цикла серийного производства первых импульсных лазерных диодов ближнего ИК диапазона спектра – 800-900нм на гетероструктурах, выращенных на предприятии методом жидкофазной эпитаксии. - 1974
Начало серийного производства нескольких новых типов лазерных диодов. - 1974 – 1980
Выполнение серии НИОКР, направленных на усовершенствование технологии производства лазерных диодов (ЛД), и достижение в результате 5-10-кратного увеличения срока службы и 1,5-кратного снижения себестоимости выпускаемых изделий. - 1982
Освоение в серийном производстве ЛД непрерывного режима работы на основе GaAs/GaAlAs гетероструктур. - 1984
Разработка технологии эпитаксиального выращивания импульсных ЛД на основе AlGaSbAs/GaSb гетероструктур. - 1985
Исследование причин деградации ЛД и разработка высоконадежных ЛД с увеличенным ресурсом работы в непрерывном режиме до 50 000 час. - 1984 – 1992
Разработка и производство серии ЛД, торцевых светоизлучающих (СИД) и суперлюминесцентных (СЛД) излучающих модулей с выводом излучения через многомодовый и одномодовый световод для волоконно-оптических линий связи, волоконно-оптических датчиков, гироскопов и др. - 1991
Начало экспорта продукции в Швейцарию, Германию, Австралию, Болгарию. - 1996 – 2002
Разработка и производство мощных ЛД линеек и 2-х мерных наборных ЛД решеток квазинепрерывного режима работы для накачки твердотельных лазеров с плотностью оптической мощности > 1000Вт/см2. - 1999
Разработка и поставки суперлюминесцентых излучающих модулей для нано-метрического интерферометрического контрольно-измерительного прибора “Ультрафокус-2000” юстировки объектива установки фотолитографии фирмы Ultratech Stepper, Inc.,США, удостоенного приза конкурса “100 наград за научные исследования и конструкторские разработки” журнала R&D Magazine, США в 1999г. - 1999
Разработка совместно с фирмой LIMO (Германия) и начало производства лазерного диода непрерывного режима работы с выводом излучения через многомодовый световод с мощностью оптического излучения 1Вт — ЛМ3-850-1000 с диаметром сердцевины 50 мкм, числовой апертурой 0,20 для применения в печатающих устройствах, оптических датчиках, медицине. - 2001
Разработка и производство компактных лазеров с диодной накачкой твердотельных микрочипов, в том числе с внутрирезонаторным удвоением частоты, излучающих в зеленом диапазоне спектра (λ=531 нм). - 2002
Разработка и начало производства:
— наборных ЛД излучателей с кондуктивным охлаждением импульсного режима работы с мощностью излучения 1 кВт с длительностью импульса 1 мкс;
— высокочастотного фотоприемного модуля (~7-10 ГГц) для волоконно-оптических линий связи;
— источников питания ЛД и суперлюминесцентных диодов импульсного и непрерывного режимов работы. - 2002 – 2004
Разработка и начало серийного производства наборных ЛД решеток квазинепрерывного и импульсного режима работы с мощностью излучения 1250Вт со встроенным ТЭ охладителем, с коллимирующей оптикой с длительностью импульса до 500 мкс для осветителей и дальномеров. - 2004
Разработки и начало производства новых видов ЛД излучателей ближнего ИК диапазона спектра для подсветки приборов ночного видения, систем машинного видения, оптоэлектронных датчиков и охранных систем, оптического измерительного оборудования и научных исследований. - 2005
Разработки и производство суперлюминесцентных диодов и лазеров с красным спектром излучения (630-670нм).Разработки и производство мощных импульсных ЛД с красным спектром излучения (630-670нм) и выпуск образцов красных лазерных диодов с длиной волны 631нм и разработка светоизлучающих диодов голубого свечения из гетероструктур на нитриде галлия с длиной волны излучения 457 нм с индивидуальной адресацией.